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采用高能量掺杂剂注入技术的半导体结构
审中-实审

申请号:201480057825.5 申请日:2014-08-29
摘要:一种半导体器件具有在衬底上生长的外延层,每个外延层具有第一掺杂类型。设置在所述外延层内的结构具有多个沟槽,每个所述沟槽具有设置在防护氧化物基体内的栅极电极和源极电极。多个台面的每一个使沟槽对彼此隔离。具有第二掺杂类型的体区设置在外延层上方并且桥连每个台面。所述第一掺杂剂类型的升高浓度的区域以高能量级别注入到外延层和体区之间,其减小了扩展到器件的沟道的电阻。具有第一掺杂类型的源区被设置在体区上方。
申请人: 维西埃-硅化物公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: 凯尔·特里尔 管灵鹏
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I H01L21/20(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20140829
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  半导体器件,包括:外延层,所述外延层生长在半导体衬底上,每个所述外延层包括第一类型的掺杂剂;设置在所述外延层内的结构,所述结构包括:多个沟槽,每个所述沟槽包括设置在屏蔽氧化物基体内的栅极电极和源极电极;以及多个台面,每个所述台面将所述多个沟槽的第一个从所述多个沟槽的第二个中隔离;体区,桥连所述多个台面的每一个,其中所述体区设置在所述外延层上方并且包括第二类型的掺杂剂;所述第一类型的掺杂剂的升高浓度的区域,其被注入到所述外延层和所述体区之间;以及源区,包括所述第一类型的掺杂剂并且被设置在所述体区上方。
公开号  105723516A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  北京市磐华律师事务所 11336
代理人  高伟 冯永贞
颁证日  
优先权  2013.10.21 US 14/058,933
国际申请  2014-08-29 PCT/US2014/053592
国际公布  2015-04-30 WO2015/060947 EN
进入国家日期  2016.04.21