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降低晶体管阵列中的寄生泄漏
审中-实审

申请号:201480055853.3 申请日:2014-10-07
摘要:一种操作包括晶体管阵列的装置的方法,其中该装置包括:第一导体层,其限定了多个源极导体,每个源极导体与相应的晶体管组相关联,以及多个漏极导体,每个漏极导体均与相应的晶体管相关联;半导体层,其限定了在所述晶体管阵列的所述源极与漏极导体之间的半导体沟道;第二导体层,其限定了多个栅极导体,每个栅极导体均与相应的晶体管组相关联,以及一个或更多个存储电容器导体,其电容性耦接至相应的晶体管组的漏极导体的至少一部分;其中该方法包括:使用栅极导体使所述晶体管在接通和截止状态之间切换;以及使用存储电容器导体降低半导体层的一个或多个部分的导电性,所述半导体层的一个或多个部分将每个处于接通状态中的晶体管的漏极导体连接至与该晶体管相关联的源极和/或漏极导体之外的源极和/或漏极导体。
申请人: 弗莱克因艾伯勒有限公司
地址: 英国剑桥
发明(设计)人: S·瑞德尔 D·加米埃 B·H·佩
主分类号: H01L27/12(2006.01)I
分类号: H01L27/12(2006.01)I
  • 法律状态
2016-10-26  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20141007
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种操作包括晶体管阵列的装置的方法,其中该装置包括:第一导体层,所述第一导体层限定了多个源极导体,每个源极导体与相应的晶体管组相关联,以及限定了多个漏极导体,每个漏极导体均与相应的晶体管相关联;半导体层,所述半导体层限定了在所述晶体管阵列的源极导体与漏极导体之间的半导体沟道;第二导体层,所述第二导体层限定了多个栅极导体,每个栅极导体均与相应的晶体管组相关联,以及限定了一个或更多个存储电容器导体,所述一个或更多个存储电容器导体电容性耦接至相应的晶体管组的漏极导体的至少一部分;其中该方法包括:使用栅极导体来使所述晶体管在接通和截止状态之间切换;以及使用存储电容器导体来降低半导体层的一个或多个部分的导电性,所述半导体层的所述一个或多个部分将每个处于接通状态中的晶体管的漏极导体连接至与该晶体管相关联的源极和/或漏极导体之外的源极和/或漏极导体。
公开号  105723512A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  申发振
颁证日  
优先权  2013.10.08 GB 1317761.3
国际申请  2014-10-07 PCT/EP2014/071468
国际公布  2015-04-16 WO2015/052201 EN
进入国家日期  2016.04.08