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用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法
有权
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申请号:201480053567.3 申请日:2014-09-24
摘要:本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法,至少包括以下步骤:(i)提供多晶硅衬底,所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm;(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形;(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形,在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm,衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形,步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行;以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下,使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理,以便获得期望的所述衬底。
申请人: 原子能与替代能源委员会
地址: 法国巴黎
发明(设计)人: 让-马里·勒布伦 让-保罗·加朗代 让-米歇尔·米西安 赛琳·帕斯卡
主分类号: H01L31/18(2006.01)I
分类号: H01L31/18(2006.01)I C30B1/02(2006.01)I
  • 法律状态
2017-10-24  授权
2016-08-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20140924
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底(10)的方法,所述方法至少包括以下步骤:(i)提供多晶硅衬底(1),所述多晶硅衬底(1)的平均颗粒尺寸小于或等于10μm;(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体且均匀的塑性变形;(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形,在两个连续的区(3)之间的间距(e)为至少20μm,所述衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形,步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行;以及(iv)在严格高于在步骤(ii)中实施的温度的温度下,使在步骤(iii)结束时获得的所述衬底经受固相再结晶热处理,以便获得期望的所述衬底(10)。
公开号  105723525A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人  黄志华 何月华
颁证日  
优先权  2013.09.27 FR 1359341
国际申请  2014-09-24 PCT/IB2014/064796
国际公布  2015-04-02 WO2015/044875 FR
进入国家日期  2016.03.28