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用于扩散桥接单元库的方法及设备
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申请号:201480033068.8 申请日:2014-06-17
摘要:本发明揭示用于设计集成电路的单元的库,所述库包括连续扩散可相容CDC单元。CDC单元包含:p掺杂扩散区,其电连接到供应轨且从所述CDC单元的左边缘到右边缘是连续的;第一多晶硅栅极,其安置在所述p掺杂扩散区上方且电连接到所述p掺杂扩散区;n掺杂扩散区,其电连接到接地轨且从所述左边缘到所述右边缘是连续的;第二多晶硅栅极,其安置在所述n掺杂扩散区上方且电连接到所述n掺杂扩散区;左浮动多晶硅栅极,其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述左边缘;及右浮动多晶硅栅极,且安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述右边缘。
申请人: 高通股份有限公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: B·J·鲍尔斯 J·W·海沃德 C·戈帕尔 G·C·布尔达 R·J·布茨基 C·H·甘 G·纳拉帕蒂 M·D·杨布拉德 W·R·弗莱德巴赫
主分类号: H01L27/02(2006.01)I
分类号: H01L27/02(2006.01)I G06F17/50(2006.01)I H01L27/118(2006.01)I
  • 法律状态
2018-01-30  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20140617
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种包括集成电路的设备,所述集成电路包括:供应轨;接地轨;及第一单元,所述第一单元具有左边缘及右边缘,所述第一单元包括:p掺杂扩散区,其包含在所述第一单元中且从所述左边缘到所述右边缘是连续的,所述p掺杂扩散区电连接到所述供应轨;第一多晶硅栅极,其安置在所述p掺杂扩散区上方且电连接到所述供应轨;n掺杂扩散区,其包含在所述第一单元中且从所述左边缘到所述右边缘是连续的,所述n掺杂扩散区电连接到所述接地轨;第二多晶硅栅极,其安置在所述n掺杂扩散区上方且电连接到所述接地轨;左浮动多晶硅栅极,其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述左边缘;及右浮动多晶硅栅极,其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述右边缘。
公开号  105283955A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人  宋献涛
颁证日  
优先权  2013.06.18 US 61/836,309;2013.08.23 US 13/974,135;2013.08.26 US 13/975,781
国际申请  2014-06-17 PCT/US2014/042719
国际公布  2014-12-24 WO2014/204948 EN
进入国家日期  2015.12.10