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GaN HEMT的共源共栅结构
有权
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申请号:201480033000.X 申请日:2014-05-12
摘要:描述了一种多级晶体管装置。这种装置的一个实施例是双栅极晶体管,其中,薄间隔层把第二级栅极和势垒层隔开并且第二级栅极通过与源极连接接地。在一个实施例中,薄间隔层和第二级栅极被放置在间隔层的一个孔中。在另一个实施例中,由间隔层将第二级栅极和势垒层隔开。该装置能够表现出改进的线性度和降低的复杂性和成本。
申请人: 克利公司
地址: 美国北卡罗来纳州
发明(设计)人: 萨普撒里希·斯里拉姆 特里·奥尔康 法比安·拉杜莱斯库 斯科特·谢泼德
主分类号: H01L29/778(2006.01)I
分类号: H01L29/778(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L29/40(2006.01)I
  • 法律状态
2018-09-21  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20140512
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种多栅极晶体管,包括:多个有源半导体层,形成于衬底上;二维电子气(2DEG),在两个有源半导体层的界面处;源极和漏极,所述源极和所述漏极与所述2DEG接触;第一栅极,在所述源极和漏电极之间;第二栅极,在所述第一栅极和所述漏电极之间;以及间隔层,在所述第二栅极和所述多个有源半导体层之间。
公开号  105283958A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人  梁丽超 陈鹏
颁证日  
优先权  2013.06.09 US 13/913,490
国际申请  2014-05-12 PCT/US2014/037728
国际公布  2014-12-18 WO2014/200643 EN
进入国家日期  2015.12.09