搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

贴合晶圆的制造方法
有权
阅读授权文献

申请号:201480032979.9 申请日:2014-05-19
摘要:本发明是一种贴合晶圆的制造方法,其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层,将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后,施加热处理,在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离,由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,其中,在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前,测量接合晶圆和基底晶圆的厚度,选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此,能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均,制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。
申请人: 信越半导体株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 小林德弘 阿贺浩司
主分类号: H01L21/02(2006.01)I
分类号: H01L21/02(2006.01)I H01L21/265(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I
  • 法律状态
2018-05-08  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20140519
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种贴合晶圆的制造方法,其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层,将所述接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后,施加热处理,在所述离子注入层使所述接合晶圆的一部分剥离,由此制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,其特征在于,在将所述将接合晶圆与基底晶圆贴合之前,测量所述接合晶圆和所述基底晶圆的厚度,选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由所述接合晶圆与所述基底晶圆构成的组合来进行贴合。
公开号  105283943A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人  谢顺星 张晶
颁证日  
优先权  2013.06.26 JP 2013-133868
国际申请  2014-05-19 PCT/JP2014/002615
国际公布  2014-12-31 WO2014/207988 JA
进入国家日期  2015.12.09