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制造碳化硅半导体器件的方法
无权-视为撤回

申请号:201480032882.8 申请日:2014-05-08
摘要:该制造碳化硅半导体器件的方法具有以下步骤:制备具有第一主表面(10a)以及第二主表面(10b)的第一碳化硅层(10)的步骤;在第一碳化硅层(10)的第一主表面(10a)中形成第一凹部(1)的步骤,所述第一凹部(1)包括侧部(10c)和底部(10d);形成与第一主表面(10a)、侧部(10c)和底部(10d)接触的第二碳化硅层(20)的步骤;获得第二凹部(2)的图像的步骤,所述第二凹部(2)形成在第四主表面(20a)的面对第一凹部(1)的位置处;和基于第二凹部(2)的图像执行对准的步骤。第一主表面是从{0001}面偏离的面。通过第一凹部(1)的深度(D)除以第二碳化硅层(20)的厚度(T)获得比值大于0.2。以此方式,可提供一种提高对准精度的制造碳化硅半导体器件的方法。
申请人: 住友电气工业株式会社
地址: 日本大阪府大阪市
发明(设计)人: 玉祖秀人
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I H01L21/027(2006.01)I H01L21/337(2006.01)I H01L21/338(2006.01)I H01L29/12(2006.01)I H01L29/16(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/808(2006.01)I H01L29/812(2006.01)I
  • 法律状态
2018-04-03  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 21/336申请公布日:20160127
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20140508
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造碳化硅半导体器件的方法,包括以下步骤:制备具有第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面的第一碳化硅层;在所述第一碳化硅层的所述第一主表面中形成第一凹部,所述第一凹部包括连续连接至所述第一主表面的侧部以及连续连接至所述侧部的底部;形成与所述第一主表面、所述侧部以及所述底部接触的第二碳化硅层,所述第二碳化硅层具有与所述第一主表面接触的第三主表面以及与所述第三主表面相反的第四主表面;获得第二凹部的图像,所述第二凹部形成在所述第四主表面中的面对所述第一凹部的位置处;以及基于所述第二凹部的所述图像执行对准,所述第一主表面对应于相对于{0001}面成角度偏离的面,使得所述第一主表面的法线向量具有<11?20>和<1?100>的分量中的至少一个,通过所述第一凹部的深度除以所述第二碳化硅层的厚度获得的比值大于0.2。
公开号  105283947A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人  李兰 孙志湧
颁证日  
优先权  2013.06.13 JP 2013-124657
国际申请  2014-05-08 PCT/JP2014/062311
国际公布  2014-12-18 WO2014/199749 JA
进入国家日期  2015.12.09