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半导体装置
审中-实审

申请号:201480032850.8 申请日:2014-05-29
摘要:一种半导体装置具备:具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
申请人: 株式会社电装 富士电机株式会社
地址: 日本爱知县
发明(设计)人: 杉浦俊 大仓康嗣 藤井岳志 今川铁太郎
主分类号: H01L21/822(2006.01)I
分类号: H01L21/822(2006.01)I H01L21/3205(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I H01L27/04(2006.01)I H01L29/41(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/822申请日:20140529
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,具备:半导体基板(12),具有元件;表面电极(18),与上述元件电连接,并且设置在上述半导体基板的表面上,背面电极(14),与上述元件电连接,并且设置在上述半导体基板的与上述表面相反的背面上;保护膜(20),设置在上述半导体基板的表面上的分离区域(28);以及温度传感器(22),设置在上述半导体基板的表面侧,在上述分离区域中,通过上述保护膜,上述表面电极在沿着上述表面的至少2个方向上被分割为多个,上述分离区域包括:位于被分割而相互相邻的上述表面电极的对置边之间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32),上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
公开号  105283951A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  徐殿军
颁证日  
优先权  2013.06.11 JP 2013-122918
国际申请  2014-05-29 PCT/JP2014/002848
国际公布  2014-12-18 WO2014/199582 JA
进入国家日期  2015.12.09