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聚合物厚膜铜导体组合物的光子烧结
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申请号:201480032685.6 申请日:2014-06-06
摘要:本发明提供了使用聚合物厚膜铜导体组合物在电路中形成电导体的方法,所述方法包括使该沉积的厚膜铜导体组合物经受光子烧结。本发明还提供用于降低由聚合物厚膜导体组合物形成的电导体的电阻的方法,所述方法包括使所述电导体经受光子烧结的步骤。本发明还提供包含通过这些方法制成的电导体的装置。本发明还提供聚合物厚膜铜导体组合物。
申请人: E.I.内穆尔杜邦公司
地址: 美国特拉华州
发明(设计)人: J·D·萨默斯
主分类号: H01B1/22(2006.01)I
分类号: H01B1/22(2006.01)I C09D5/24(2006.01)I H05K3/12(2006.01)I
  • 法律状态
2018-01-16  授权
2016-06-08  实质审查的生效IPC(主分类):H01B 1/22申请日:20140606
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于在电路中形成电导体的方法,所述方法包括:a)提供基板;b)提供包含还原剂的聚合物厚膜铜导体组合物;c)将所述聚合物厚膜铜导体组合物施用到所述基板上;以及d)使所述聚合物厚膜铜导体组合物经受光子烧结以形成所述电导体。
公开号  105264614A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  江磊 朱黎明
颁证日  
优先权  2013.06.13 US 13/916,759
国际申请  2014-06-06 PCT/US2014/041196
国际公布  2015-04-09 WO2015/050589 EN
进入国家日期  2015.12.08