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在多位存储元件处存储数据时使用虚数据的装置和方法
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申请号:201480032476.1 申请日:2014-09-04
摘要:存储设备包括非易失性存储器和控制器。在数据存储设备中进行的方法包括在控制器处接收要被存储在非易失性存储器处的第一数据和第二数据。该方法还包括从控制器向非易失性存储器发送第一数据、第二数据和虚数据以被存储在非易失性存储器中的单个物理页的各个逻辑页处。该单个物理页包括根据位到状态的映射而可编程到多个电压状态中的多个存储元件。虚数据防止单个物理页的存储元件被编程到多个电压状态中的特定电压状态。
申请人: 桑迪士克科技股份有限公司
地址: 美国得克萨斯州
发明(设计)人: M.A.达布鲁 D.潘特拉基斯
主分类号: G11C11/56(2006.01)I
分类号: G11C11/56(2006.01)I G11C16/10(2006.01)I G11C16/04(2006.01)I G11C7/10(2006.01)I
  • 法律状态
2018-05-22  授权
2016-08-24  著录事项变更IPC(主分类):G11C 11/56变更事项:申请人变更前:桑迪士克科技股份有限公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯州变更后:美国得克萨斯州
2016-02-17  实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/56申请日:20140904
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种方法,包括:在包括控制器和非易失性存储器的数据存储设备中,进行:在该控制器处接收要被存储在该非易失性存储器处的第一数据和第二数据;以及从该控制器向该非易失性存储器发送该第一数据、该第二数据和虚数据以被存储在该非易失性存储器中的单个物理页的各个逻辑页处,其中,所述单个物理页包括根据位到状态的映射而能够编程到多个电压状态的多个存储元件,且其中,所述虚数据防止所述单个物理页的存储元件被编程到所述多个电压状态中的特定电压状态。
公开号  105264610A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  万里晴
颁证日  
优先权  2013.09.17 US 14/028,846;2013.09.17 US 14/028,885
国际申请  2014-09-04 PCT/US2014/054098
国际公布  2015-03-26 WO2015/041858 EN
进入国家日期  2015.12.07