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光信息记录介质、再生方法以及再生装置
有权
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申请号:201480031827.7 申请日:2014-04-08
摘要:在将根据从第1坑点串的最长坑点(P1max)或最长间隙(S1max)获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从第2坑点串的最长坑点(P2max)或最长间隙(S2max)获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下,第1坑点串被形成为第1反射率与第2反射率大致相同。
申请人: 夏普株式会社 忆术控股股份有限公司
地址: 日本大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号
发明(设计)人: 中峻之 山田博久 山本真树 田岛秀春 小西正人
主分类号: G11B7/007(2006.01)I
分类号: G11B7/007(2006.01)I G11B7/24085(2013.01)I
  • 法律状态
2018-04-03  授权
2016-02-17  实质审查的生效IPC(主分类):G11B 7/007申请日:20140408
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种光信息记录介质,具有被分配了通过第1坑点串而记录有信息的第1区域、和通过第2坑点串而记录有信息的第2区域的记录层,所述第1坑点串包含长度比再生装置所具有的光学系统分辨率限度的长度短的坑点,所述第2坑点串由具有上述光学系统分辨率限度的长度以上的长度的坑点构成,所述光信息记录介质的特征在于,在将根据从上述第1坑点串的最长坑点或最长间隙获得的反射光量而算出的反射率设为第1反射率、将根据从上述第2坑点串的最长坑点或最长间隙获得的反射光量而算出的反射率设为第2反射率的情况下,上述第1坑点串被形成为上述第1反射率与上述第2反射率大致相同。
公开号  105264602A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人  王亚爱
颁证日  
优先权  2013.06.07 JP 2013-120958
国际申请  2014-04-08 PCT/JP2014/060171
国际公布  2014-12-11 WO2014/196264 JA
进入国家日期  2015.12.03