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高速光探测器
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申请号:201480029484.0 申请日:2014-05-21
摘要:本发明提供一种基于pin的高速光探测器,其包括其中所施加的电场较高的薄光吸收层(102),该薄光吸收层(102)与暴露于低得多的电场的漂移层(104)组合。仅具有较高迁移率的电荷载流子将必须行进经过漂移层(104),而具有较低迁移率的电荷载流子将仅行进在小于或至多等于光吸收层(102)的厚度的距离上。漂移层(104)的带隙能量(208)大于光吸收层(102)的带隙能量(206)。较高电场光吸收层到较低电场漂移层的过渡通过分级层(105)实施。漂移层(104)中的电场关于光吸收层(102)的电场的减小通过光吸收层(102)、漂移层(104)和分级层(105)中的掺杂浓度的分布实现。
申请人: 泰科电子瑞典控股有限责任公司
地址: 瑞典耶尔菲拉
发明(设计)人: M.G.查辛斯基 N.P.奇蒂卡
主分类号: H01L31/105(2006.01)I
分类号: H01L31/105(2006.01)I
  • 法律状态
2018-04-13  授权
2017-04-12  专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 31/105登记生效日:20170320变更事项:申请人变更前权利人:泰科电子瑞典控股有限责任公司变更后权利人:迈络思科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:瑞典耶尔菲拉变更后权利人:以色列约克尼穆
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/105申请日:20140521
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种光探测器,其包括:第一层(102),其包括具有适于吸收在预期范围内的波长的光的第一带隙能量(206)的第一半导体材料;及第二层(104),其与该第一层(102)的相邻侧接合,该第二层(104)包括具有高于该第一带隙能量(206)的第二带隙能量(208)的第二半导体材料;其中该第一层(102)、该第二层(104)及该第一层与该第二层之间的区域中的至少一个中的掺杂浓度分布使得在相同反向偏压条件下建立在该第二层(104)内的非零电场小于建立在该第一层(102)内的电场。
公开号  105283964A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  葛青
颁证日  
优先权  2013.05.31 EP 13002838.4
国际申请  2014-05-21 PCT/EP2014/060432
国际公布  2014-12-04 WO2014/191275 EN
进入国家日期  2015.11.20