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用于垂直磁力异向性薄膜的种子层
审中-实审

申请号:201480028737.2 申请日:2014-04-14
摘要:本发明公开了一种形成具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构的方法、一种具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构和一种具有垂直磁力异向性的穿隧磁阻装置,其中,具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构是由具有不同晶体对称结构的材料以多层方式制作而成,其通过促进晶体匹配的种子层的使用来提供平滑过渡。在沉积结构上的层间界面,如氧化镁层和含铁铁磁层之间的界面会发生垂直磁力异向性,后续过程中,垂直磁力异向性将通过对称结构匹配种子层的方式传播到整个沉积结构的其余部分。
申请人: 海德威科技公司
地址: 美国加利福尼亚州密尔必达市山景道678号
发明(设计)人: 森山贵広 王郁仁 童儒颖
主分类号: H01L43/08(2006.01)I
分类号: H01L43/08(2006.01)I H01L43/10(2006.01)I H01L43/12(2006.01)I H01F10/32(2006.01)I G11C11/16(2006.01)I
  • 法律状态
2016-05-18  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 43/08申请日:20140414
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种形成具有垂直磁力异向性的磁性薄膜结构的方法,其特征在于,包含以下步骤:提供一薄膜沉积结构,该薄膜沉积结构具有一界面于一氧化镁层和一铁或含铁的铁磁层之间,其中一垂直磁力异向性发生于该界面;形成一多层薄膜结构于该界面上,其中该多层薄膜结构包含多个不同晶体对称结构的材料层;及形成一过渡层于具有不同晶体对称结构的每一材料层之间;其中该过渡层促进该多个不同晶体对称结构的材料层之间的匹配,从而使该PMA于整个该薄膜沉积结构内进行传播。
公开号  105283974A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139
代理人  孙皓晨
颁证日  
优先权  2013.04.16 US 13/863,545
国际申请  2014-04-14 PCT/US2014/033913
国际公布  2014-10-23 WO2014/172225 EN
进入国家日期  2015.11.17