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半导体结构及其制造方法
审中-实审

申请号:201480023460.4 申请日:2014-02-21
摘要:本发明有关于一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括层组件、一个或多个支撑组件及一个或多个锚合组件,支撑组件配置在层组件的第一表面上,锚合组件配置在层组件内且连接至一个或多个支撑组件,以将一个或多个支撑组件耦接至层组件,进而强化层组件。
申请人: 先进封装技术私人有限公司
地址: 新加坡新加坡
发明(设计)人: 林少雄 周辉星
主分类号: H01L23/48(2006.01)I
分类号: H01L23/48(2006.01)I H01L21/58(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-23  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20140221
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构,包括:层组件;一个或多个支撑组件,其配置在该层组件的第一表面上,以及一个或多个锚合组件,其配置在该层组件内且连接至该一个或多个支撑组件,以将该一个或多个支撑组件耦接至该层组件,进而强化该层组件。
公开号  105283953A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人  武晨燕 迟姗
颁证日  
优先权  2013.02.21 US 61/767,289
国际申请  2014-02-21 PCT/SG2014/000074
国际公布  2014-08-28 WO2014/129976 EN
进入国家日期  2015.10.21