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使用参考单元和共同感测路径来读取存储器单元
有权
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申请号:201480013531.2 申请日:2014-03-12
摘要:一种方法包括感测数据单元的状态以生成数据电压。数据单元的状态对应于数据单元的基于可编程电阻的存储器元件的状态。该方法还包括感测参考单元的状态以生成参考电压。数据单元的状态以及参考单元的状态经由共同感测路径来感测。该方法还包括基于数据电压和参考电压来确定数据单元的逻辑值。
申请人: 高通股份有限公司 延世大学校产学协力团
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: S-O·郑 T·那 J·金 S·H·康 J·P·金
主分类号: G11C11/16(2006.01)I
分类号: G11C11/16(2006.01)I G11C13/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-08  授权
2016-02-17  实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/16申请日:20140312
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种方法,包括:感测数据单元的状态以生成数据电压,其中所述数据单元的状态对应于所述数据单元的基于可编程电阻的存储器元件的状态;感测参考单元的状态以生成参考电压,其中所述数据单元的状态和所述参考单元的状态经由共同感测路径来感测;以及基于所述数据电压和所述参考电压来确定所述数据单元的逻辑值。
公开号  105264607A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  周敏
颁证日  
优先权  2013.03.15 US 13/835,251
国际申请  2014-03-12 PCT/US2014/024245
国际公布  2014-09-25 WO2014/150791 EN
进入国家日期  2015.09.10