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半导体发光元件及其制造方法
审中-实审

申请号:201480012061.8 申请日:2014-07-16
摘要:本发明提供一种半导体发光元件,是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上,具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件,其特征在于,所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件,所述周期a和半径R的比(R/a)为,以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值,各周期结构参数为,通过采用FDTD法的模拟的解析结果,以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数,该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。
申请人: 丸文株式会社 东芝机械株式会社 国立研究开发法人理化学研究所 国立研究开发法人产业技术综合研究所 株式会社爱发科 东京应化工业株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 鹿岛行雄 松浦惠里子 小久保光典 田代贵晴 大川贵史 平山秀树 尹成圆 高木秀树 上村隆一郎 长田大和 岛谷聪
主分类号: H01L33/16(2006.01)I
分类号: H01L33/16(2006.01)I H01L33/50(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-13  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/16申请日:20140716
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体发光元件,是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上,具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件,其特征在于,所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件,所述周期a和半径R的比(R/a)为,以使TE光的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值,各周期结构参数为,通过采用FDTD法的模拟的解析结果,以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数,该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。
公开号  105283968A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人  吴大建 刘华联
颁证日  
优先权  2013.07.17 JP 2013-148234
国际申请  2014-07-16 PCT/JP2014/068864
国际公布  2015-01-22 WO2015/008776 JA
进入国家日期  2015.09.02