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底部填充材料以及采用底部填充材料的半导体装置的制造方法
审中-实审

申请号:201480002131.1 申请日:2014-09-10
摘要:提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料,其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物,在60℃以上100℃以下的任意温度,显示非宾厄姆流动性,动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E+02rad/s以下的角频率区域具有拐点,该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E+05Pa以上10E+06Pa以下。由此,能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。
申请人: 迪睿合株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 小山太一
主分类号: H01L21/60(2006.01)I
分类号: H01L21/60(2006.01)I C09J7/00(2006.01)I C09J11/06(2006.01)I C09J133/16(2006.01)I C09J163/02(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-17  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/60申请日:20140910
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  ?一种底部填充材料,在将形成有带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成有与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前,预先将所述半导体芯片贴合在半导体芯片,所述底部填充材料含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物,所述底部填充材料在60℃以上100℃以下的任意温度下,显示非宾厄姆流动性,所述底部填充材料的动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E+02rad/s以下的角频率区域具有拐点,该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E+05Pa以上10E+06Pa以下。
公开号  105283948A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人  李啸 姜甜
颁证日  
优先权  2013.09.11 JP 2013-187980
国际申请  2014-09-10 PCT/JP2014/073967
国际公布  2015-03-19 WO2015/037634 JA
进入国家日期  2015.02.12