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一种可以提高光效的半导体发光器件
有权

申请号:201420859558.0 申请日:2014-12-30
摘要:一种可以提高光效的半导体发光器件,包括:衬底,形成于所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层;所述N型氮化镓层表面形成有若干个间隔布置的凹坑,N型氮化镓层上单位面积内分布的凹坑的面积小于10%。本实用新型在量子阱生长前通过引入有规律分布的凹坑,使得后续覆盖的P型氮化镓层能够在整个量子阱区域提供空穴载流子,从而使空穴能够均匀的扩散至更多的靠近N型氮化镓层的量子阱,提高发光效率。
申请人: 扬州德豪润达光电有限公司
地址: 225002 江苏省扬州市邗江经济开发区牧羊路八号
发明(设计)人: 王冬雷 金振模 梅劲
主分类号: H01L33/22(2010.01)I
分类号: H01L33/22(2010.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种可以提高光效的半导体发光器件,包括:衬底,形成于所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层;其特征在于:所述N型氮化镓层表面形成有若干个间隔分布的凹坑,N型氮化镓层上单位面积内凹坑所占比例小于10%。
公开号  204596827U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  广东秉德律师事务所 44291
代理人  杨焕军
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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