搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

高电子迁移率发光晶体管的结构
审中-实审

申请号:201410852647.7 申请日:2014-12-31
摘要:本发明提供了一种高电子迁移率发光晶体管的结构,结构包含:基板;高迁移率晶体管(简称HEMT)区设置于基板上;氮化镓发光二极管(GaN-LED,简称LED)区设置于该基板上;其中,HEMT区与LED区皆存在二维电子气层,且HEMT区通过二维电子气层耦接LED区。本发明可以产生不同波长的光,并且可以控制LED区的光源亮度。
申请人: 黄智方
地址: 中国台湾新竹市
发明(设计)人: 黄智方 李奕辰 张庭辅 郑克勇 王佑立 吴浚宏 杨伟臣 邱绍谚
主分类号: H01L27/15(2006.01)I
分类号: H01L27/15(2006.01)I H01L29/778(2006.01)I H01L33/06(2010.01)I
  • 法律状态
2016-08-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/15申请日:20141231
2016-07-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高电子迁移率发光晶体管的结构,其特征在于,该结构包含:一基板;一高迁移率晶体管HEMT区,设置于该基板上;以及一氮化镓发光二极管LED区,设置于该基板上;其中,该HEMT区与该LED区皆存在一二维电子气2DEG层,且该HEMT区通过该2DEG层串联该LED区。
公开号  105810707A
公开日  2016-07-27
专利代理机构  北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人  汤在彦
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期