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非挥发性存储器的制造方法
审中-实审

申请号:201410839660.9 申请日:2014-12-30
摘要:本发明公开一种非挥发性存储器的制造方法。提供包括第一区与第二区的基底,并对第一区进行第一图案化步骤以在第一区中形成多个栅极堆叠结构。之后,形成覆盖每一栅极堆叠结构的侧壁与上表面的第一侧壁氧化层,并于第一侧壁氧化层上形成保护层。接着,对第二区进行离子注入制作工艺,再对第二区进行第二图案化步骤以在第二区中形成多个栅极结构。然后,形成覆盖每一栅极结构的侧壁的第二侧壁氧化层。
申请人: 力晶科技股份有限公司
地址: 中国台湾新竹科学工********(隐藏)
发明(设计)人: 施凯侥 王思婷 冯祺凯 应宗桦 尹德源
主分类号: H01L21/8247(2006.01)I
分类号: H01L21/8247(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8247申请日:20141230
2016-07-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种非挥发性存储器的制造方法,包括:提供一基底,该基底包括一第一区与一第二区;对该第一区进行一第一图案化步骤以在该第一区中形成多个栅极堆叠结构,形成该些栅极堆叠结构之后,形成一第一侧壁氧化层,以覆盖每一栅极堆叠结构的侧壁与上表面;形成该第一侧壁氧化层之后,在该第一侧壁氧化层上形成一保护层;形成该保护层之后,对该第二区进行一离子注入制作工艺;对该第二区进行该离子注入制作工艺之后,对该第二区进行一第二图案化步骤以在该第二区中形成多个栅极结构;以及形成一第二侧壁氧化层,以覆盖每一栅极结构的侧壁。
公开号  105810636A
公开日  2016-07-27
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  陈小雯
颁证日  
优先权  2014.12.15 TW 103143659
国际申请  
国际公布  
进入国家日期