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半导体结构及其制造方法
审中-实审

申请号:201410770314.X 申请日:2014-12-15
摘要:本发明提供了一种半导体结构,包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出,并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 张哲诚 程潼文 谢瑞夫 林木沧
主分类号: H01L27/04(2006.01)I
分类号: H01L27/04(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/04申请日:20141215
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构,包括:半导体衬底;以及浅沟槽隔离(STI),所述浅沟槽隔离包括与所述半导体衬底相连接的侧壁,其中,所述STI从所述半导体衬底的底部突出,并且所述STI包括:底面,与所述半导体衬底的所述底部接触;顶面,与所述底面相对,其中,所述底面的宽度大于所述顶面的宽度。
公开号  105280635A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.07.22 US 14/337,562
国际申请  
国际公布  
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