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源极/漏极结构及其形成方法
审中-实审

申请号:201410768907.2 申请日:2014-12-15
摘要:本发明提供了半导体器件,该半导体器件包括设置在衬底上方的栅极堆叠件和至少部分地嵌入在邻近栅极堆叠件的衬底内的源极/漏极(S/D)部件。S/D部件包括:第一半导体材料层和设置在第一半导体材料层上方的第二半导体材料层。第二半导体材料层不同于第一半导体材料层。S/D部件也包括设置在第二半导体材料层上方的第三半导体材料层,第三半导体材料层包括锡(Sn)材料。本发明还提供了S/D部件的形成方法。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 李宜静 李昆穆 李启弘 李资良
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/08(2006.01)I H01L29/165(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20141215
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种器件,包括:栅极堆叠件,设置在衬底上方;源极/漏极(S/D)部件,至少部分地嵌入在邻近所述栅极堆叠件的所述衬底内,所述部件包括:第一半导体材料层;第二半导体材料层,设置在所述第一半导体材料层上方,其中,所述第二半导体材料层的半导体材料与所述第一半导体材料层的半导体材料不同;以及第三半导体材料层,设置在所述第二半导体材料层上方,其中,所述第三半导体材料层包括锡(Sn)材料。
公开号  105280699A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.07.23 US 14/338,448
国际申请  
国际公布  
进入国家日期