搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

用二氧化硅制取太阳能级硅的方法
审中-实审

申请号:201410743148.4 申请日:2014-12-02
摘要:一种用二氧化硅制取太阳能级硅的方法,其特征在于采用高纯氢还原二氧化硅制取一氧化硅,进而利用一氧化硅的歧化反应制取太阳能级硅,它包括如下步骤:(一)将二氧化硅用气流磨进行粉碎,使之达到50~500目;(二)将粉碎后的二氧化硅微粉用浓硝酸浸泡1~4小时;(三)将滤去浸泡液之后的二氧化硅微粉用去离子水漂洗1~4时,再放进真空室内烘干;(四)在流化床中使高纯氢与烘干后的二氧化硅微粉进行反应制取一氧化硅;(五)将一氧化硅微粉取出,置于液固分离定向凝固歧化反应炉中,通过歧化反应,再将硅与二氧化硅分离,并通过定向凝固进一步去除硅中其它的金属杂质,得到太阳能级高纯硅。采用本发明的工艺,可进一步降低太阳能级高纯硅的生产成本。
申请人: 李绍光
地址: 110013 辽宁省沈阳市沈河区市府大路286-3号2-5-1
发明(设计)人: 李绍光
主分类号: C01B33/021(2006.01)I
分类号: C01B33/021(2006.01)I
  • 法律状态
2017-12-22  文件的公告送达 IPC(主分类):C01B 33/021收件人:李绍光文件名称:审查意见通知书
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/021申请日:20141202
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用二氧化硅制取太阳能级硅的方法,其特征在于采用高纯氢还原二氧化硅制取一氧化硅,进而利用一氧化硅的歧化反应制取太阳能级硅,它包括如下步骤:(一)将二氧化硅用气流磨进行粉碎,使之达到50~500目;(二)将粉碎后的二氧化硅微粉用浓硝酸浸泡1~4小时;(三)将滤去浸泡液之后的二氧化硅微粉用去离子水漂洗1~4时,再放进真空室内烘干;(四)在流化床中使高纯氢与烘干后的二氧化硅微粉进行反应:SiO2+H2===SiO+H2O制取一氧化硅;(五)将一氧化硅微粉取出,置于液固分离定向凝固歧化反应炉中,通过歧化反应:2SiO===Si+SiO2再将硅与二氧化硅分离,并通过定向凝固进一步去除硅中其它的金属杂质,得到太阳能级高纯硅。
公开号  105712349A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期