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在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器
审中-实审

申请号:201410723334.1 申请日:2014-12-02
摘要:本发明提供了在具有类ONO结构的背照式图像传感器中形成隐埋式滤色器。一种半导体图像传感器件包括衬底,衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区域位于衬底中。辐射感测区域被配置为感测从第二侧进入衬底的辐射。多个阻光结构设置在衬底的第二侧上方。钝化层涂覆在每一个阻光结构的顶面和侧壁上。多个间隔件设置在钝化层的涂覆在阻光结构侧壁上的部分上。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 郑允玮 陈秋镕 简荣亮 李国政 许永隆 陈信吉
主分类号: H01L27/146(2006.01)I
分类号: H01L27/146(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20141202
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体图像传感器件,包括:衬底,具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;互连结构,设置在所述衬底的第一侧上方;多个辐射感测区域,位于所述衬底中,所述辐射感测区域被配置为感测从所述第二侧进入所述衬底的辐射;多个阻光结构,设置在所述衬底的第二侧上方;钝化层,涂覆在每一个阻光结构的顶面和侧壁上;以及多个间隔件,设置在所述钝化层的涂覆在所述阻光结构的侧壁上的部分上。
公开号  105280652A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.06.18 US 14/307,781;2014.06.19 US 14/308,760
国际申请  
国际公布  
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