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一种背面曝光工艺优化方法
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申请号:201410723327.1 申请日:2014-12-04
摘要:本发明公开一种背面曝光工艺优化方法,其特征在于,包括:步骤一、建立光刻仿真工艺环境;步骤二,设定不同的正面曝光剂量和u因子,得到不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量组合下的曝光图形,其中u因子为正面曝光剂量和背面剂量之比;步骤三,确定目标CD的范围,得出正面曝光剂量与背面曝光剂量的范围;步骤四,在得出正面曝光剂量与背面曝光剂量的范围内均匀的选取采样点,组成不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量的组合;步骤五,仿真每一个组合在不同焦面位置下的CD结果,得到CD随焦面位置变化的曲线并做拟合,计算可用焦深;步骤六,选取最优的正面曝光剂量以及u因子。
申请人: 上海微电子装备有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号
发明(设计)人: 王健
主分类号: G03F7/20(2006.01)I
分类号: G03F7/20(2006.01)I
  • 法律状态
2017-12-29  授权
2017-09-26  著录事项变更 IPC(主分类):G03F 7/20变更事项:申请人变更前:上海微电子装备有限公司变更后:上海微电子装备(集团)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号变更后:201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20141204
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种背面曝光工艺优化方法,其特征在于,包括:步骤一、建立光刻仿真工艺环境;步骤二,设定不同的正面曝光剂量和u因子,得到不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量组合下的曝光图形,其中u因子为正面曝光剂量和背面剂量之比;步骤三,确定目标CD的范围,得出正面曝光剂量与背面曝光剂量的范围;步骤四,在得出正面曝光剂量与背面曝光剂量的范围内均匀的选取采样点,组成不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量的组合;步骤五,仿真每一个组合在不同焦面位置下的CD结果,得到CD随焦面位置变化的曲线并做拟合,计算可用焦深;步骤六,选取最优的正面曝光剂量以及u因子;其中,所述步骤一包括标定光刻胶参数,标定光刻胶参数需满足:(a)|仿真顶部CD?–?测量顶部CD|?<标定CD误差要求,(b)|仿真底部CD?–?测量底部CD|?<标定CD误差要求,(c)|仿真剂量?–?实际剂量|?<标定剂量误差要求;所述步骤六中最优的正面曝光剂量以及u因子的判断方法包括:(a)可用焦深最大;(b)底部CD仿真大于顶部CD仿真;(c)底部CD仿真曲线与顶部CD仿真曲线尽可能接近,并且中部CD仿真曲线位于所述底部CD仿真曲线以及顶部CD仿真曲线的中间;(d)顶部CD仿真曲线与底部CD仿真曲线开口方向相反。
公开号  105717748A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人  屈蘅
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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