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一种新型氮化硅粉体的合成方法
审中-实审

申请号:201410719051.X 申请日:2014-12-02
摘要:一种新型氮化硅粉体的合成方法,该方法是采用复合等离子气相沉积的方法制备纳米Si3N4粉体,该方法可避免传统的Si3N4合成方法存在的保温氮化时间过长,能耗过高,容易引入杂质等问题。本发明分别采用SiCl4或SiBr4或SiI4或SiH4为原料,以N2-NH3-Ar为工作气体,在5-55kW功率下,形成等离子体,在1000-1400℃下,在等离子反应容器内快速发生反应制备出氮化硅粉体。通过本发明制备的氮化硅粉体不仅具有超细、纯度高、分散性好等优点,而且对环境污染小,产物均为粉体,好收集。相比于其它制备纳米粉体材料的方法,复合等离子体增强(去掉)化学气相沉积具有反应温度低,对生成物无污染,产物纯度高,颗粒尺寸小,具有高温、急剧升温和快速冷却的特点。
申请人: 沈阳鑫劲粉体工程有限责任公司
地址: 110400 辽宁省沈阳市法库经济开发区
发明(设计)人: 李军 许壮志 薛健 王欣丹 王世林
主分类号: C01B21/068(2006.01)I
分类号: C01B21/068(2006.01)I C04B35/584(2006.01)I C04B35/626(2006.01)I
  • 法律状态
2016-10-05  实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/068申请日:20141202
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种新型氮化硅粉体的合成方法,该合成方法是通过下述步骤实现的:a、原料组成及组成范围:以SiCl4或SiBr4或SiI4或SiH4中的一种为硅源,以N2?NH3?Ar为工作气体,原料组成按摩尔比,Si源:N源=1?1.7:3?4.2,其中氮源的化学组成按摩尔比,N2:NH3=0.2?1.0:1?3.2;b、具体实现步骤:通入2.0m3/h的Ar气体,排除空气,注入硅源,将氮源的混合气体通入等离子反应腔体内,其中氮源混合气体的流量控制在5?10m3/h,在5?55kW功率下,形成等离子体,以3℃/min~6℃/min的升温速率,升温至1000?1400℃,反应1~3h,此时硅源与氮源发生反应,反应完全后,以5℃/min~7℃/min降温,当温度降至500~600℃时保温1~2h,去除杂质,得到的粉体再经水洗二次去除杂质,得到高纯、超细的氮化硅粉体。
公开号  105712305A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229
代理人  甄玉荃
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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