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半导体装置的制造方法
审中-实审

申请号:201410708671.3 申请日:2014-11-28
摘要:提供一种半导体装置的制造方法,其能够一边抑制活性层的露出以及上部半导体层的蚀刻量,一边将化合物半导体层的凸部去除,而不会产生问题,该半导体装置的制造方法具有:激光部形成工序,该工序在衬底的一部分处形成激光部,该激光部具有活性层、在该成活性层上形成的上部半导体层、以及在该上部半导体层上形成的掩模;半导体层形成工序,该工序由含有In的材料形成化合物半导体层,该化合物半导体层与该激光部的侧面接触,在与该激光部接触的部分处具有凸部;以及湿蚀刻工序,该工序通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂,将该凸部去除,并将该化合物半导体层平坦化。而且,通过该湿蚀刻工序,在该掩模下的该上部半导体层形成(111)A面。
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 津波大介 河原弘幸 柳乐崇
主分类号: H01S5/34(2006.01)I
分类号: H01S5/34(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/34申请日:20141128
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:激光部形成工序,在该工序中,在衬底的一部分处形成激光部,该激光部具有活性层、在所述成活性层上形成的上部半导体层、以及在所述上部半导体层上形成的掩模;半导体层形成工序,在该工序中,由含有In的材料形成化合物半导体层,该化合物半导体层与所述激光部的侧面接触,在与所述激光部接触的部分处具有凸部;以及湿蚀刻工序,在该工序中,通过包含氢溴酸和醋酸在内的蚀刻剂,将所述凸部去除,使所述化合物半导体层变平坦,通过所述湿蚀刻工序,在所述掩模下的所述上部半导体层形成(111)A面。
公开号  104868360A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人  何立波 张天舒
颁证日  
优先权  2014.02.26 JP 2014-035359
国际申请  
国际公布  
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