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半导体装置
审中-实审

申请号:201410577594.2 申请日:2014-10-24
摘要:本发明的实施方式提供一种抑制阳极电极与二极管的密接力下降、抑制二极管的浪涌耐受量下降的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:第1电极;第2电极;第1导电型的第1半导体区域,设在上述第1电极与上述第2电极之间,与上述第1电极接触;第2导电型的第2半导体区域,有选择地设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间;接触区域,设在上述第2半导体区域与上述第2电极之间,与上述第2半导体区域及上述第2电极接触;多个第2导电型的第3半导体区域,设在上述第2电极与上述第1半导体区域之间,与上述第2电极接触;以及配线,与上述第2电极接触,与上述第2电极的接合部分位于上述第3半导体区域的上方,不位于上述接触区域的上方。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 堀阳一 野田隆夫 大田刚志
主分类号: H01L29/872(2006.01)I
分类号: H01L29/872(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/872申请日:20141024
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,其特征在于,具备:第1电极;第2电极;第1导电型的第1半导体区域,设在上述第1电极与上述第2电极之间,与上述第1电极接触;第2导电型的第2半导体区域,有选择地设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间;接触区域,设在上述第2半导体区域与上述第2电极之间,与上述第2半导体区域及上述第2电极接触;多个第2导电型的第3半导体区域,设在上述第2电极与上述第1半导体区域之间,与上述第2电极接触;配线,与上述第2电极接触,与上述第2电极的接合部分位于上述第3半导体区域的上方,不位于上述接触区域的上方。
公开号  105280724A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司 72002
代理人  徐殿军
颁证日  
优先权  2014.06.19 JP 2014-126256
国际申请  
国际公布  
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