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垂直器件结构
审中-实审

申请号:201410507489.1 申请日:2014-09-28
摘要:本发明提供了垂直器件结构。本发明涉及具有在源极区和漏极区之间延伸的矩形垂直沟道条的垂直晶体管器件及其相关的形成方法。在一些实施例中,垂直晶体管器件包括设置在半导体衬底上方的源极区。具有一个或多个垂直沟道条的沟道区设置在源极区上方。一个或多个垂直沟道条的底面邻接源极区并且具有矩形形状(即,具有四条边的形状,具有不同长度的相邻边和四个直角)。栅极区位于源极区上方并且位于邻接垂直沟道条的位置处,漏极区设置在栅极区和垂直沟道条上方。垂直沟道条的矩形形状提供了具有更好性能和单元区域密度的垂直器件。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 王志豪 廖忠志 连万益 游家权 邱奕勋 蔡庆威 吴伟豪
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20140928
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种垂直晶体管器件,包括:源极区,设置在半导体衬底上方;沟道区,包括设置在所述源极区上方的一个或多个垂直沟道条,其中,所述一个或多个垂直沟道条的底面邻接所述源极区并具有矩形形状;栅极区,位于所述源极区上方,并且位于通过栅极介电层与所述一个或多个垂直沟道条的侧壁间隔开的位置处;以及漏极区,设置在所述栅极区和所述一个或多个垂直沟道条上方。
公开号  105280698A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.06.30 US 14/318,835
国际申请  
国际公布  
进入国家日期