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半导体器件及形成方法
审中-实审

申请号:201410474352.0 申请日:2014-09-17
摘要:本发明提供了一种半导体器件及形成方法。半导体器件包括围绕介电管的沟道和围绕沟道的栅极。介电管包括具有或传导很少甚至没有载流子(诸如,电子或空穴)的高介电常数材料。介电管的存在将载流子限制在非常接近于栅极的沟道内。沟道及其内的载流子接近于栅极允许栅极对载流子施加更大的控制,因此允许减少沟道的长度,同时遭受很少甚至没有的短沟道效应,如,穿过沟道的漏电。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 廖洺汉
主分类号: H01L29/10(2006.01)I
分类号: H01L29/10(2006.01)I H01L21/335(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/10申请日:20140917
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体器件,包括:沟道,围绕介电管;以及栅极,围绕所述沟道,其中,所述沟道的沟道厚度除以所述沟道的沟道长度的比介于约1/30至约10之间。
公开号  105280689A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 李伟
颁证日  
优先权  2014.07.02 US 14/321,983
国际申请  
国际公布  
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