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形成隔离层的方法
审中-实审

申请号:201410445247.4 申请日:2014-09-03
摘要:根据示例性实施例,提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作:提供衬底;在衬底上方提供具有第一层的垂直结构;在第一层上方提供第一层间电介质;对第一层间电介质实施CMP;以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 蔡腾群 王立廷 陈德芳 林正堂 彭治棠 王建勋 陈炳宏 林焕哲 卢永诚
主分类号: H01L21/762(2006.01)I
分类号: H01L21/762(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20140903
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种形成隔离层的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上方提供具有第一层的垂直结构;在所述第一层上方提供第一层间电介质;对所述第一层间电介质实施CMP;以及回蚀刻所述第一层间电介质和所述第一层以形成与所述垂直结构的源极对应的所述隔离层。
公开号  105280547A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 孙征
颁证日  
优先权  2014.06.13 US 14/303,791
国际申请  
国际公布  
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