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具有保护层的自对准互连件
审中-实审

申请号:201410441782.2 申请日:2014-09-01
摘要:集成电路结构包括:第一层层间电介质(ILD)、位于第一ILD中的栅极堆叠件、位于第一ILD上方的第二ILD、位于第二ILD中的接触插塞、以及位于接触插塞的相对两侧上并且与接触插塞相接触的介电保护层。接触插塞和介电保护层位于第二ILD中。介电覆盖层位于接触插塞上方并且与接触插塞相接触。本发明还涉及具有保护层的自对准互连件。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 严佑展 傅劲逢 李佳颖
主分类号: H01L23/48(2006.01)I
分类号: H01L23/48(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20140901
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种集成电路结构,包括:第一层间电介质(ILD);栅极堆叠件,位于所述第一ILD中;第二ILD,位于所述第一ILD上方;第一接触插塞,位于所述第二ILD中;介电保护层,位于所述第一接触插塞的相对两侧上并且与所述第一接触插塞接触,其中,所述第一接触插塞和所述介电保护层位于所述第二ILD中;以及介电覆盖层,位于所述第一接触插塞上方并且与所述第一接触插塞接触。
公开号  105280591A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 孙征
颁证日  
优先权  2014.06.12 US 14/302,616
国际申请  
国际公布  
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