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半导体器件及其形成方法
审中-实审

申请号:201410440652.7 申请日:2014-09-01
摘要:根据示例性实施例,提供了形成垂直结构的方法。该方法包括以下操作:提供衬底;在衬底上方形成第一氧化物层;在第一氧化物层上方形成第一伪层;蚀刻第一氧化物层和第一伪层以形成凹槽;在凹槽中形成第二伪层(以及对第二伪层进一步实施CMP并停止在第一伪层上);去除第一伪层;去除第一氧化物层;以及蚀刻衬底以形成垂直结构。根据示例性实施例,提供了半导体器件。该半导体器件包括:衬底、嵌入在衬底中的STI;以及具有与STI基本对准的源极的垂直晶体管。本发明涉及半导体器件及其形成方法。
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
地址: 中国台湾新竹
发明(设计)人: 陈德芳 蔡腾群 林正堂 王立廷 彭治棠
主分类号: H01L27/092(2006.01)I
分类号: H01L27/092(2006.01)I H01L21/8238(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20140901
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种形成垂直结构的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上方形成第一氧化物层;形成浅沟槽隔离件以将所述衬底划分成第一区和第二区;在所述第一氧化物层和所述浅沟槽隔离件上方形成第一伪层;蚀刻所述第一氧化物层和所述第一伪层以在所述第一区中形成第一凹槽并在所述第二区中形成第二凹槽;在所述第一凹槽和所述第二凹槽中形成第二伪层;去除所述第一伪层;去除所述第一氧化物层;蚀刻所述浅沟槽隔离件的一部分;以及蚀刻所述衬底以使得所述衬底与所述浅沟槽隔离件的顶部对准,并且在所述第一区中形成第一垂直结构且在所述第二区中形成第二垂直结构。
公开号  105280642A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人  章社杲 孙征
颁证日  
优先权  2014.06.12 US 14/302,568
国际申请  
国际公布  
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