搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

半导体装置及其制造方法
审中-实审

申请号:201410400143.1 申请日:2014-08-14
摘要:本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,该方法包括形成绝缘基层于基板的表面之上。该方法更包括形成多层结构于绝缘基层之上,该多层结构具有导电层及绝缘层。该方法更包括在多层结构中刻蚀以及形成电荷储存层于图案化的多层结构之上。该方法更包括形成硅保护层于电荷储存层之上,接着进行热处理工艺。
申请人: 旺宏电子股份有限公司
地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
发明(设计)人: 郭仲仪 郑俊民
主分类号: H01L21/8247(2006.01)I
分类号: H01L21/8247(2006.01)I H01L27/115(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8247申请日:20140814
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造半导体装置的方法,该方法包括:形成一绝缘基层于一基板的表面之上;形成一多层结构于该绝缘基层之上,该多层结构具有导电层及绝缘层;在该多层结构中刻蚀图案;形成一电荷储存层于图案化的该多层结构之上;以及形成一硅保护层于该电荷储存层之上。
公开号  105280559A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人  任岩
颁证日  
优先权  2014.06.04 US 14/296,226
国际申请  
国际公布  
进入国家日期