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自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容
审中-实审

申请号:201410360940.1 申请日:2014-07-25
摘要:本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法,包括步骤:提供待刻蚀层;刻蚀待刻蚀层,以形成第一孔槽;进行叠层的淀积,所述叠层至少包括三层材料层,且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性;进行平坦化,直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除;根据刻蚀选择性,在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层,以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸,易于刻蚀、质量高且成本低。
申请人: 中国科学院微电子研究所
地址: 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明(设计)人: 赵利川 李昱东 闫江
主分类号: H01L29/92(2006.01)I
分类号: H01L29/92(2006.01)I H01L21/02(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/92申请日:20140725
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种自对准形成孔槽的方法,其特征在于,包括步骤:提供待刻蚀层;刻蚀待刻蚀层,以形成第一孔槽;进行叠层的淀积,所述叠层至少包括两层材料层,且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性;进行平坦化,直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除;根据刻蚀选择性,在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层,以形成第二孔槽。
公开号  105280726A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京维澳专利代理有限公司 11252
代理人  党丽 逢京喜
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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