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一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法
审中-实审

申请号:201410358139.3 申请日:2014-07-25
摘要:本发明提供一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法,该制备方法采用衬底转移技术,避免了由于生长衬底不透光导致影响LED倒装芯片的出光问题,生产效率高、成本低。采用本发明的方法制备的倒装LED芯片光效高,免打线而且很容易做成白光,给降低LED照明成本提供了一种解决方案。
申请人: 晶能光电(常州)有限公司
地址: 213146 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号
发明(设计)人: 汪福进 梁伏波 赵汉民 封波 黄涛
主分类号: H01L33/00(2010.01)I
分类号: H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-06-15  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20140725
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法,包括在生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和金属反射层;在金属反射层表面部分区域刻蚀至暴露出N型GaN层形成N电极孔和第一沟槽;在金属反射层表面的部分区域和N电极孔的侧壁以及所述第一沟槽形成钝化层;在N电极孔内沉积金属并将多个N电极孔连接起来形成N电极;在未被钝化层覆盖的金属反射层上形成P电极,形成倒装晶片结构;其特征在于,在与所述生长衬底大小形状一致的基板上沉积一层键合金属层,刻蚀或切割所述与晶片P电极和N电极间隔位置相对的键合金属层和基板,形成第二沟槽和第三沟槽,其中所述第二沟槽和第三沟槽都与P电极和N电极之间的间隔位置大小相对应;将所述晶片和基板进行邦定,在所述基板背面沿着第二沟槽和第三沟槽进行切割腐蚀基板形成第四沟槽和第五沟槽,其中所述第四和第五沟槽的深度至第二沟槽和第三沟槽;在所述第四沟槽和第五沟槽中灌入绝缘材料,烘烤固化后去除生长衬底和缓冲层,暴露出N型GaN层;沿着第四沟槽对晶片进行切割,形成单个LED芯片。
公开号  105280759A
公开日  2016-01-27
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代理人  
颁证日  
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