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半导体装置的浅沟槽隔离结构与其制造方法
审中-实审

申请号:201410354610.1 申请日:2014-07-24
摘要:本发明公开一种半导体装置的浅沟槽隔离结构与其制造方法。制造半导体装置的浅沟槽隔离结构的方法包括以下步骤。提供基板,其上方依序形成衬垫氧化层以及第一图案化光致抗蚀剂层;在基板中形成第一沟槽;沉积第一介电层于第一沟槽中以及基板上;提供第二图案化光致抗蚀剂层,以对应第二图案化光致抗蚀剂层,在第一介电层中形成开口以及于该基板中形成第二沟槽;沉积第二介电层,覆盖于基板中的第一沟槽中、第二沟槽中以及基板上的第一介电层;以化学机械研磨除去第二介电层,直接露出第一介电层为止;以及选择性移除基板上的第一介电层。
申请人: 联华电子股份有限公司
地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
发明(设计)人: 陈明新 王俞婷 张名辉
主分类号: H01L21/76(2006.01)I
分类号: H01L21/76(2006.01)I H01L23/13(2006.01)I
  • 法律状态
2016-03-30  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/76申请日:20140724
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造半导体装置的浅沟槽隔离结构的方法,包括以下步骤:提供一基板,其上方依序形成一衬垫氧化层以及一第一图案化光致抗蚀剂层;对应该第一图案化光致抗蚀剂层,在该基板中形成一第一沟槽;在移除该第一图案化光致抗蚀剂层后,沉积一第一介电层于该第一沟槽中以及该基板上;提供一第二图案化光致抗蚀剂层,以对应该第二图案化光致抗蚀剂层,在该第一介电层中形成一开口以及于该基板中形成一第二沟槽;在移除该第二图案化光致抗蚀剂层后,沉积一第二介电层,覆盖于该基板中的该第一沟槽中、该第二沟槽中以及该基板上的第一介电层;以化学机械研磨除去该第二介电层,直到露出该第一介电层为止;以及选择性移除该基板上的该第一介电层;其中该第一沟槽的面积大于该第二沟槽的面积,而且该第一介电层的介电常数高于该第二介电层。
公开号  105280545A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  陈小雯
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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