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一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池
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申请号:201410352589.1 申请日:2014-07-23
摘要:本发明公开了一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池,包括依次制备在基底上的电极一、n型掺杂的非晶硅薄膜、n-i缓冲层、带隙连续变化的本征(i型)非晶硅锗薄膜、i-p双层带隙缓冲层、p型掺杂的非晶硅薄膜和电极二;其中,电极一和电极二分别为电池底电极和顶电极。本发明通过电脑控制数字流量计,制备出带隙连续变化的非晶硅锗薄膜,有效增加了空穴的传输;采用双层带隙缓冲层结构,减小了p型窗口层与非晶硅锗薄膜的能带失配,进而减小了载流子在界面缺陷态上的复合;另外,本发明提供一种在背反射电极上制备微纳结构的方法,可增加光线在电池内部的光程,进而增加光吸收。
申请人: 北京有色金属研究总院
地址: 100088 北京市西城区新街口外大街2号
发明(设计)人: 王飞 王吉宁 苑慧萍 刘晓鹏 蒋利军 王树茂
主分类号: H01L31/0445(2014.01)I
分类号: H01L31/0445(2014.01)I H01L31/0352(2006.01)I
  • 法律状态
2017-04-19  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0445申请日:20140723
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池,其特征在于,包括依次制备在基底(1)上的电极一(2)、n型掺杂的非晶硅薄膜(3)、n?i缓冲层(4)、带隙连续变化的本征非晶硅锗薄膜(5)、i?p双层带隙缓冲层(6)、p型掺杂的非晶硅薄膜(7)和电极二(8);其中,电极一和电极二分别为电池底电极和顶电极。
公开号  105280736A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人  刘秀青 熊国裕
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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