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带有微反射镜的硅基V型槽制备方法
无权-视为撤回

申请号:201410347308.3 申请日:2014-07-21
摘要:本发明涉及一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法,该方法包括:模拟:根据硅在KOH刻蚀液中的各向异性特征使用Anisotropic?crystalline?etching?simulation(ACES)软件进行模拟找出了产生V型槽及微反射镜的特定刻蚀晶向;硅刻蚀:根据Si、SiO2在KOH刻蚀液中的选择比及它们的热膨胀系数确定了实用的掩膜,调整KOH、IPA、水的配比及刻蚀反映温度刻蚀出V型槽及45o的微反射镜;镀膜:使用镀膜软件TFC找到经济实用的Si/SiO2系高反膜,利用磁控溅射技术沉积薄膜,减少刻蚀形成的损伤提高微反射镜的反射率。本发明可适用于垂直腔面激光器(VCSEL)与尾纤的耦合,或者其他需要折转光路的耦合情形,有效的提高了激光器与光纤的耦合效率。
申请人: 长春理工大学
地址: 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7186号
发明(设计)人: 刘鹏程 刘国军 李洪雨 魏志鹏 冯源 郝永芹 安宁 陈芳 何斌太 刘超 王清桃 席文星
主分类号: G02B6/36(2006.01)I
分类号: G02B6/36(2006.01)I G02B6/43(2006.01)I G03F7/20(2006.01)I C23C14/35(2006.01)I
  • 法律状态
2018-03-13  发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B 6/36申请公布日:20160127
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)??????用丙酮、乙醇?超声波对Si片进行标准清洗;2)??????将Si片在HF水溶液中浸泡1~2分钟;3)??????去离子水冲洗,使用氮气吹干Si片并移入热氧化炉中进行湿氧氧化;?4)??????氧化完成后取出Si片放入快速热退火炉中,对Si片进行快速热退火;5)??????进行光刻、显影;6)??????显影完成的Si片,用氮气吹干后,用HF溶液对SiO2进行腐蚀;7)??????使用KOH水溶液对Si进行腐蚀;8)??????使用磁控溅射技术对腐蚀完成的V型槽及微反射镜进行镀膜。
公开号  105278042A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  
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