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半导体结构与其制作方法
审中-实审

申请号:201410344900.8 申请日:2014-07-18
摘要:本发明公开一种半导体结构与其制作方法,该半导体结构包含有一基底,一栅极介电层,位于该基底上,一电荷陷阱层,位于该栅极介电层上,以及至少两多晶硅层,分别位于该栅极介电层上,且同时覆盖部分该电荷陷阱层。
申请人: 联华电子股份有限公司
地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市
发明(设计)人: 任柏翰
主分类号: H01L27/115(2006.01)I
分类号: H01L27/115(2006.01)I H01L29/423(2006.01)I H01L21/8247(2006.01)I H01L21/28(2006.01)I
  • 法律状态
2017-07-07  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115申请日:20140718
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构,包含有:基底;栅极介电层,位于该基底上;电荷陷阱层,位于该栅极介电层上;以及至少两多晶硅层,分别位于该栅极介电层上,且同时覆盖部分该电荷陷阱层。
公开号  105280645A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  陈小雯
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期