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一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法
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申请号:201410331908.0 申请日:2014-07-14
摘要:本发明提供一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法,所述垂直LED芯片结构包括:蓝宝石衬底;发光外延结构,结合于所述蓝宝石衬底表面,包括N型层、量子阱层及P型层,且所述发光外延结构去除了周侧区域的P型层及量子阱层,露出该周侧区域的N型层;P电极,结合于所述P型层表面;绝缘层,结合于所述P型层表面、及P型层与量子阱层侧壁;透明导电层,包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及所述周侧区域的N型层。本发明不需要剥离蓝宝石衬底,工艺简单,成本较低;发光时,电流能从N型层的表面及侧壁流通,最终流向蓝宝石衬底的背面,可以提高LED发光电流的均匀度。本发明结构和工艺步骤简单,适用于工业生产。
申请人: 上海博恩世通光电股份有限公司
地址: 201108 上海市闵行区元明路128号一层、二层
发明(设计)人: 林宇杰
主分类号: H01L33/02(2010.01)I
分类号: H01L33/02(2010.01)I H01L33/06(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2018-02-16  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/02申请日:20140714
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构,其特征在于,包括:蓝宝石衬底;发光外延结构,结合于所述蓝宝石衬底表面,包括N型层、量子阱层及P型层,且所述发光外延结构去除了周侧区域的P型层及量子阱层,露出该周侧区域的N型层;P电极,结合于所述P型层表面;绝缘层,结合于所述P型层表面、及P型层与量子阱层侧壁;透明导电层,包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及所述周侧区域的N型层。
公开号  105280767A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海光华专利事务所 31219
代理人  李仪萍
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期