搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

一种真空低温湿法刻蚀方法
无权-视为撤回

申请号:201410319809.0 申请日:2014-07-07
摘要:本发明涉及半导体激光二极管(LD)及光电二极管(PD)和发光二极管(LED)芯片制造领域,尤其涉及一种真空低温湿法刻蚀设备及方法,该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。该方法解决目前由于控制参数的唯一性,虽然在线宽条件能够达到工艺要求下,产品坡度角在目前的刻蚀方法下仍无法达到产品工艺要求,从而降低了人工湿法刻蚀方法的工序控制能力,増加了产品出现不良品的概率。
申请人: 张家港市超声电气有限公司 兰育辉 陈宏
地址: 215618 江苏省苏州市张家港市金港大道1001号
发明(设计)人: 兰育辉 陈宏
主分类号: H01L21/67(2006.01)I
分类号: H01L21/67(2006.01)I H01L21/30(2006.01)I
  • 法律状态
2018-02-27  发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/67申请公布日:20160127
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种真空低温湿法刻蚀方法,其特征是:该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。
公开号  105280519A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  南京钟山专利代理有限公司 32252
代理人  田媛 靳静
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期