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半导体结构及其形成方法
审中-实审

申请号:201410299497.1 申请日:2014-06-26
摘要:一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构的形成方法包括:提供半导体衬底,第一区域上待形成的器件密度大于第二区域上待形成的器件密度;在第一区域上形成至少一个第一栅极结构,在第二区域上形成至少一个第二栅极结构;对第二栅极结构两侧的半导体衬底进行离子注入,形成掺杂区;刻蚀半导体衬底,掺杂区的刻蚀速率大于半导体衬底的第一区域的刻蚀速率,在第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽,在第二栅极结构两侧的半导体衬底内形成第二凹槽,第二凹槽的深度大于第一凹槽深度;在第一凹槽内形成第一源漏极,在第二凹槽内形成第二源漏极,第一源漏极和第二源漏极的表面齐平。采用上述方法可以提高形成的半导体器件的性能。
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江********(隐藏)
发明(设计)人: 谢欣云
主分类号: H01L21/8228(2006.01)I
分类号: H01L21/8228(2006.01)I H01L27/04(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-03  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8228申请日:20140626
2016-01-06  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域,第一区域上待形成的器件密度大于第二区域上待形成的器件密度;在所述第一区域上形成至少一个第一栅极结构,在第二区域上形成至少一个第二栅极结构;形成覆盖第一区域的掩膜层,暴露出第二区域;对第二栅极结构两侧的半导体衬底的第二区域内进行离子注入,形成掺杂区;去除所述掩膜层,刻蚀所述半导体衬底,所述掺杂区的刻蚀速率大于半导体衬底的第一区域的刻蚀速率,在第一栅极结构两侧的半导体衬底的第一区域内形成第一凹槽,在第二栅极结构两侧的半导体衬底的第二区域内形成第二凹槽,所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度;采用外延工艺,在所述第一凹槽内形成第一源漏极,在所述第二凹槽内形成第二源漏极,所述第一源漏极和第二源漏极的表面齐平。
公开号  105226021A
公开日  2016-01-06
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  应战 骆苏华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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