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量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
有权
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Quantum well structure, epitaxial structure of LED, and LED

申请号:201410282794.5 申请日:2014-06-23
摘要:本发明提出一种量子阱结构,其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构,所述单量子阱结构为有源层的发光区,且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度量子阱的辐射复合效率,进而可以很好地提高长波长LED的发光效率。本发明另外提供一种发光二极管外延结构及一种发光二极管。
Abstract: The invention provides a quantum well structure. The quantum well structure includes a single quantum well structure near a P doped zone and a multiple quantum well structure near an N doped zone. The single quantum well structure is a luminous zone of an active layer, and an energy gap of the single quantum well structure is less than an energy gap of the multiple quantum well structure. The quantum well structure can remarkably improve the radiation recombination efficiency of a quantum well with a lower energy gap, so that the luminous efficiency of a long-wavelength LED can be improved. The invention also provides an epitaxial structure of an LED and an LED.
申请人: 中国科学院物理研究所
Applicant: CHINESE ACAD PHYSICS INST
地址: 100080 北京市海淀区中关村********(隐藏)
发明(设计)人: 陈弘 贾海强 江洋 马紫光 王文新 王禄 戴隆贵 李卫
Inventor: CHEN HONG; JIA HAIQIANG; JIANG YANG; MA ZIGUANG; WANG WENXIN; WANG LU; DAI LONGGUI; LI WEI
主分类号: H01L33/06(2010.01)I
分类号: H01L33/06(2010.01)I
  • 法律状态
2019-05-31  授权
2017-06-13  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06申请日:20140623
2016-01-06  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种量子阱结构,其特征在于,包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构,所述单量子阱结构为有源层的发光区,且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。
公开号  105226145A
公开日  2016-01-06
专利代理机构  深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316
代理人  宋鹰武 沈祖锋
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201410282794  20140623 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  US4961197A  19901002  1-10  全文 
SEA  US5138626A  19920811  1-10  全文 
SEA  WO2009036730A2  20090326  1-10  全文 
SEA  CN102315344A  20120111  1-10  说明书第[0043]-[0045],[0068]-[0073][0074],[0109],[0121]-[0125]段、附图5-6 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
CN105226145B
 
引用文献
US4961197AUS5138626AWO2009036730A2
CN102315344A
 
被引用文献