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量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
有权
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申请号:201410282794.5 申请日:2014-06-23
摘要:本发明提出一种量子阱结构,其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构,所述单量子阱结构为有源层的发光区,且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度量子阱的辐射复合效率,进而可以很好地提高长波长LED的发光效率。本发明另外提供一种发光二极管外延结构及一种发光二极管。
申请人: 中国科学院物理研究所
地址: 100080 北京市海淀区中关村********(隐藏)
发明(设计)人: 陈弘 贾海强 江洋 马紫光 王文新 王禄 戴隆贵 李卫
主分类号: H01L33/06(2010.01)I
分类号: H01L33/06(2010.01)I
  • 法律状态
2019-05-31  授权
2017-06-13  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06申请日:20140623
2016-01-06  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种量子阱结构,其特征在于,包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构,所述单量子阱结构为有源层的发光区,且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。
公开号  105226145A
公开日  2016-01-06
专利代理机构  深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316
代理人  宋鹰武 沈祖锋
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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