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碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法
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申请号:201410262614.7 申请日:2014-06-13
摘要:本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法,包括在碳纳米管阵列的碳纳米管远离生长基底的顶端形成一包覆层;将代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合,该代替基底的表面与该包覆层接触;以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方,使该代替基底与该生长基底相远离,从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离,并转移至该代替基底,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底,并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。
申请人: 清华大学 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址: 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
发明(设计)人: 魏洋 范守善
主分类号: B81C1/00(2006.01)I
分类号: B81C1/00(2006.01)I B82Y40/00(2011.01)I
  • 法律状态
2017-01-25  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20140613
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种碳纳米管阵列的转移方法,包括以下步骤:S1,?提供一代替基底及一生长基底,该生长基底表面具有碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出,该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管;S2,?将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底,并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出,包括:S21,?在该碳纳米管阵列的碳纳米管远离该生长基底的顶端形成一包覆层;S22,?将该代替基底的表面与该包覆层接触,使该代替基底的表面通过该包覆层与该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面结合;以及S23,?通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方,使该代替基底与该生长基底相远离,从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离,并转移至该代替基底。
公开号  105271105A
公开日  2016-01-27
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