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密封环结构及其制作方法
审中-实审

申请号:201410258345.7 申请日:2014-06-11
摘要:本发明提供一种密封环结构的制作方法,至少包括以下步骤:S1:提供一衬底;S2:在所述衬底上形成第一层间介质层,并在位于所述密封环区域的第一层间介质层中形成第一金属层;S3:在位于所述密封环区域与所述测试结构区域之间的第一层间介质层中形成若干凹槽;S4:沉积第二层间介质层,所述凹槽中的第二层间介质层构成虚拟介质栓塞;S5:在所述第一金属层上形成导电柱及第二金属层。本发明在空旷区域的相邻层间介质层之间形成若干虚拟介质栓塞,从而增强切割道区域的各介质层之间的粘合能力,降低晶粒切割时芯片边缘分层的风险,减少芯片报废,降低生产成本。
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江路18号
发明(设计)人: 王晓东
主分类号: H01L23/16(2006.01)I
分类号: H01L23/16(2006.01)I H01L21/76(2006.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/16申请日:20140611
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种密封环结构的制作方法,其特征在于,至少包括以下步骤:S1:提供一衬底,所述衬底包括密封环区域及包围所述密封环区域的切割道区域;所述切割道区域中包括测试结构区域;S2:在所述衬底上形成第一层间介质层,并在位于所述密封环区域的第一层间介质层中形成第一金属层,所述第一金属层与所述第一层间介质层的上表面齐平;S3:在位于所述密封环区域与所述测试结构区域之间的第一层间介质层中形成若干凹槽;S4:沉积第二层间介质层,所述第二层间介质层填充满所述凹槽并覆盖所述第一金属层和第一层间介质层,所述凹槽中的第二层间介质层构成虚拟介质栓塞;S5:在所述第一金属层上的第二层间介质层内形成导电柱及第二金属层,所述导电柱连接所述第一金属层及第二金属层,所述第二金属层与所述第二层间介质层表面齐平。
公开号  105280568A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海光华专利事务所 31219
代理人  李仪萍
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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