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一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法
审中-实审

申请号:201410252850.0 申请日:2014-06-09
摘要:本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法,该方法包括:通过离子注入法将离子注入原始基板的表面,从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层;使目标基板与原始基板的薄膜层接触,进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起,以形成键合体;对键合体进行加热,使得薄膜层和余质层分离;在薄膜层和余质层分离之后,在装有扩散剂的预定容器内以200℃~700℃的温度对薄膜层加热,其中,扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。本发明的方法,可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题,制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。
申请人: 济南晶正电子科技有限公司
地址: 250101 山东省济南市高新区舜华路750号B303-1
发明(设计)人: 胡文
主分类号: C30B31/22(2006.01)I
分类号: C30B31/22(2006.01)I
  • 法律状态
2015-09-23  实质审查的生效IPC(主分类):C30B 31/22申请日:20140609
2015-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法,所述方法包括下述步骤:通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面,从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层,其中,薄膜层位于原始基板的表面,分离层位于薄膜层和余质层之间,注入的离子分布在分离层内;使目标基板与原始基板的薄膜层接触,进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起,以形成键合体;对键合体进行加热,使得薄膜层和余质层分离;在薄膜层和余质层分离之后,在装有扩散剂的预定容器内以200℃~700℃的温度对薄膜层加热,其中,扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。
公开号  104862784A
公开日  2015-08-26
专利代理机构  北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人  刘灿强
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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