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半导体基板的热处理装置
审中-实审

申请号:201410238135.1 申请日:2014-05-30
摘要:“智能城市,智能生活”的理念深入人心,人们对半导体制品的工艺要求也越来越高。作为半导体加工过程中重要一环的基板热处理装置,一直备受瞩目,而如何确保晶圆在加热过程中受热均匀,一直是从业者们殚精竭虑的难题。本发明提供了一种半导体基板的热处理装置,包括排气装置和加热腔体,所述加热腔室内在加热过程中充入氮气,通过氮气将热量间接地传递至晶圆表面,从而消除了晶圆翘曲造成的加热不均匀问题。
申请人: 盛美半导体设备(上海)有限公司
地址: 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
发明(设计)人: 王文军 王晖 陈福平 方志友
主分类号: H01L21/67(2006.01)I
分类号: H01L21/67(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-06  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20140530
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体基板的热处理装置,其特征在于,包括排气装置和加热腔室,所述排气装置至少具有一个排气接口,该排气接口连接外界的排气系统,所述排气装置至少具有一个排气孔,该排气孔与该加热腔室连通;所述加热腔室包括:门,所述门的打开或关闭均可控;热源;温度传感器;绝热基座,所述绝热基座用于承载和固定热源,所述绝热基座的上方留有气体流通的空间,所述绝热基座的下方留有气体流通的空间;支撑杆,所述支撑杆贯穿所述绝热基座和所述热源,所述支撑杆用于支撑晶圆,所述支撑杆保持晶圆水平;升降托盘,所述升降托盘连接所述支撑杆的底端,所述升降托盘的上升及下降通过驱动装置调节;中心进气口,所述中心进气口位于所述绝热基座和热源的中心位置且贯穿所述绝热基座和热源,所述中心进气口连接外界的供气系统;进气通孔;其中,在所述绝热基座上围绕所述热源开设有进气通道,所述进气通道连通所述绝热基座的下方空间以及上方空间,从所述进气通孔进入的气体流入该进气通道。
公开号  105280518A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  张振军
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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