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半导体功率元件
审中-实审
权利转移

申请号:201410227870.2 申请日:2014-05-27
摘要:本发明公开一种半导体功率元件,包含一基板、一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层、一源极电极、一背向电极以及一P型金属氧化层。第一半导体层具有一第一能隙,且位于基板上方;第二半导体层具有一第二能隙大于第一能隙,且位于第一半导体层上方;第三半导体层具有一第三能隙小于第二能隙,且位于第二半导体层上方;源极电极位于第三半导体层上方;背向电极电连接源极电极;P型金属氧化层位于背向电极以及第三半导体层之间。
申请人: 晶元光电股份有限公司 广镓光电股份有限公司
地址: 中国台湾新竹市
发明(设计)人: 杨亚谕 林恒光
主分类号: H01L29/778(2006.01)I
分类号: H01L29/778(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-16  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20140527
2016-11-16  专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778登记生效日:20161027变更事项:申请人变更前权利人:晶元光电股份有限公司变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹市变更后权利人:中国台湾新竹市变更事项:申请人变更前权利人:广镓光电股份有限公司
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体功率元件,包含:基板;第一半导体层,具有第一能隙,且位于该基板上方;第二半导体层,具有第二能隙,大于该第一能隙且位于该第一半导体层上方;第三半导体层,具有第三能隙,小于该第二能隙且位于该第二半导体层上方;源极电极,位于该第三半导体层上方;一背向电极,电连接该源极电极;以及p型金属氧化层,位于该背向电极以及该第三半导体层之间。
公开号  105280694A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  陈小雯
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期