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一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法
审中-实审

申请号:201410224864.1 申请日:2014-05-27
摘要:本发明提供一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法,该方法在相邻管芯的P电极焊盘区和N电极焊盘区之间沉积一层绝缘层,其中所述绝缘层覆盖了N电极焊盘区和P电极焊盘区的侧壁并延伸至高阻硅基板,并在相邻管芯的N电极和P电极之间沉积一层连接层,所述连接层连接相邻管芯的N电极和P电极,形成高压芯片。
申请人: 易美芯光(北京)科技有限公司
地址: 100176 北京市大兴区亦庄经济技术开发区科创十四街99号汇龙森科技园2号楼4层
发明(设计)人: 朱浩 刘国旭 邹灵威 曲晓东
主分类号: H01L33/00(2010.01)I
分类号: H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20140527
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种垂直结构的高压LED芯片的制备方法,包括;在生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层,形成外延层;在P型GaN层上蒸镀反射金属层、金属阻挡层和邦定金属层;将所述蒸镀有反射金属层的外延层邦定在高阻硅基板上,去除生长衬底和缓冲层,暴露出N型GaN层;其特征在于,刻蚀GaN层至暴露高阻硅基板形成沟槽以产生多个分立的管芯;刻蚀所述每个分立管芯上暴露的GaN层的部分区域至暴露出金属阻挡层,形成P电极焊盘区,在未被刻蚀的GaN层上形成N电极焊盘区;在相邻管芯的P电极焊盘区和N电极焊盘区之间沉积一层绝缘层,其中所述绝缘层覆盖了N电极焊盘区和P电极焊盘区的侧壁并延伸至高阻硅基板;在所述P电极焊盘区蒸镀P电极金属形成P电极,在N电极焊盘区蒸镀N电极金属形成N电极;在相邻管芯的N电极和P电极之间沉积一层连接层,所述连接层连接相邻管芯的N电极和P电极,形成高压芯片。
公开号  105280757A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
代理人  施秀瑾
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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